文献
J-GLOBAL ID:201702223817978508
整理番号:17A1645918
ナノスケールSOI FinFETデバイス構造における量子効果:シミュレーション研究【Powered by NICT】
Quantum effect in Nanoscale SOI FINFET device structure: A simulation study
著者 (3件):
Mangesh Sangeeta
(JSS Academy of Technical Education Noida, India)
,
Chopra P. K.
(AKGEC, Ghaziabad, India)
,
Saini K.K.
(NPL, New Delhi, India)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
DevIC
ページ:
795-798
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)