文献
J-GLOBAL ID:201702223818148233
整理番号:17A0766102
自己イオン注入してアニールしたSiの光ルミネセンス変化【Powered by NICT】
Photoluminescence evolution in self-ion-implanted and annealed silicon
著者 (6件):
Yang Yu
(Institute of Optoelectronic Information Materials, Ynnnan University)
,
Wang Chong
(Institute of Optoelectronic Information Materials, Ynnnan University)
,
Yang Rui-Dong
(Institute of Optoelectronic Information Materials, Ynnnan University)
,
Li Liang
(Institute of Optoelectronic Information Materials, Ynnnan University)
,
Xiong Fei
(Institute of Optoelectronic Information Materials, Ynnnan University)
,
Bao Ji-Ming
(School of Engineering and Applied Sciences, Harvard University)
資料名:
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻:
18
号:
11
ページ:
4906-4911
発行年:
2009年11月
JST資料番号:
W1539A
ISSN:
1674-1056
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)