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文献
J-GLOBAL ID：201702223830572573
整理番号：17A1811522
In2O3ベースの抵抗ランダムアクセスメモリーにおける極性形成プロセスを制御した後の不活性Pt電極スイッチング機構
Inert Pt electrode switching mechanism after controlled polarity-forming process in In2O3-based resistive random access memory
WU Cheng-Hsien
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
PAN Chih-Hung
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHEN Po-Hsun
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHANG Ting-Chang
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHANG Ting-Chang
(National Cheng Kung Univ., Tainan, TWN)
,
TSAI Tsung-Ming
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHANG Kuan-Chang
(Peking Univ., Shenzhen, CHN)
,
SHIH Chih-Cheng
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHI Ting-Yang
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
CHU Tian-Jian
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
WU Jia-Ji
(Hubei Univ., Wuhan, CHN)
,
DU Xiaoqin
(Fudan Univ., Shanghai, CHN)
,
ZHENG Hao-Xuan
(National Sun Yat-sen Univ., Kaohsiung, TWN)
,
SZE Simon M.
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 10 号： 9 ページ： 094102.1-094102.4 発行年： 2017年09月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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