文献
J-GLOBAL ID:201702223845070891
整理番号:17A1555194
埋め込まれたファンアウトウエハレベルパッケージに基づく高Q値集積受動素子の作製【Powered by NICT】
Fabrication of high Q factor integrated passive devices based on embedded Fan-out wafer level package
著者 (7件):
Zhou Xiufeng
(Center of Microsystems, CETC 58, WuXi, China)
,
Ming Xuefei
(Center of Microsystems, CETC 58, WuXi, China)
,
Ji Yong
(Center of Microsystems, CETC 58, WuXi, China)
,
Gao Nayan
(Center of Microsystems, CETC 58, WuXi, China)
,
Li Yang
(Center of Microsystems, CETC 58, WuXi, China)
,
Yao Xin
(Center of Microsystems, CETC 58, WuXi, China)
,
Xue Kai
(Department of research and design, WuXi Gmax microelectronics Company, Limited, China)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICEPT
ページ:
601-604
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)