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文献
J-GLOBAL ID：201702224253910138
整理番号：17A0417640
24kVサージ単離と25.4A500Mb/s200pJ/b金型への金型双方向リンクと0.18μm CMOSによる共鳴誘導結合を用いた50kV/μs CMR【Powered by NICT】
25.4 A 500Mb/s 200pJ/b die-to-die bidirectional link with 24kV surge isolation and 50kV/μs CMR using resonant inductive coupling in 0.18μm CMOS
Mukherjee Subhashish
(Texas Instruments, Bangalore, India)
,
Bhat Anoop Narayan
(Texas Instruments, Bangalore, India)
,
Shrivastava Kumar Anurag
(Texas Instruments, Bangalore, India)
,
Bonu Madhulatha
(Texas Instruments, Bangalore, India)
,
Sutton Benjamin
(Texas Instruments, Dallas, United States of America)
,
Gopinathan Venugopal
(Texas Instruments, Bangalore, India)
,
Thiagarajan Ganesan
(Texas Instruments, Bangalore, India)
,
Patki Abhijit
(Texas Instruments, Bangalore, India)
,
Malakar Jhankar
(Texas Instruments, Bangalore, India)
,
Krishnapura Nagendra
(IIT Madras, Chennai, India)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： ISSCC ページ： 434-435 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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