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文献
J-GLOBAL ID：201702224275446313
整理番号：17A0204183
パターン形成したサファイア基板上に成長させたLEDのGaN-サファイア界面における増加した有効反射と透過【Powered by NICT】
Increased effective reflection and transmission at the GaN-sapphire interface of LEDs grown on patterned sapphire substrates
Wu Dongxue
(Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Ma Ping
(Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Liu Boting
(Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Zhang Shuo
(Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Wang Junxi
(Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
,
Li Jinmin
(Research and Development Center for Solid State Lighting, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名：
Journal of Semiconductors
(Journal of Semiconductors)
巻： 37 号： 10 ページ： 104003-1-104003-5 発行年： 2016年
JST資料番号： C2377A ISSN： 1674-4926 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 中国 (CHN) 言語： 英語 (EN)
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