文献
J-GLOBAL ID:201702224317394227
整理番号:17A1801632
ゾル-ゲル法を用いて作製したFe2O3/p-Siヘテロ接合ダイオードの電気的検討
Electrical Investigation of Nanostructured Fe2O3/p-Si Heterojunction Diode Fabricated Using the Sol-Gel Technique
著者 (2件):
MANSOUR Shehab A.
(Menoufia Univ., Shebin El-Kom, EGY)
,
IBRAHIM Mervat M.
(National Center for Radiation Res. and Technol., Cairo, EGY)
資料名:
Journal of Electronic Materials
(Journal of Electronic Materials)
巻:
46
号:
11
ページ:
6502-6507
発行年:
2017年11月
JST資料番号:
D0277B
ISSN:
0361-5235
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)