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文献
J-GLOBAL ID：201702224327861659
整理番号：17A0697153
HF/AgNO_3溶液中での化学エッチングによって形成したシリコンナノ細線における磁気コンダクタンス効果の研究:エッチング時間の影響【Powered by NICT】
Study of magnetoconductance effect in silicon nanowires formed by chemical etching in HF/AgNO3 solution: Effect of etching time
Chouaibi B.
(Laboratoire Materiaux Avances et Phenomenes Quantiques, Faculte des Sciences de Tunis, Universite El-Manar, 2092 Campus universitaire Tunis, Tunisia)
,
Radaoui M.
(Laboratoire Materiaux Avances et Phenomenes Quantiques, Faculte des Sciences de Tunis, Universite El-Manar, 2092 Campus universitaire Tunis, Tunisia)
,
Nafie N.
(Laboratoire de Photovoltaieque, Centre de Recherches et des Technologies de l’Energie, BP 95 Hammam-Lif 2050, Tunisia)
,
Ben Fredj A.
(Laboratoire Materiaux Avances et Phenomenes Quantiques, Faculte des Sciences de Tunis, Universite El-Manar, 2092 Campus universitaire Tunis, Tunisia)
,
Romdhane S.
(Laboratoire Materiaux Avances et Phenomenes Quantiques, Faculte des Sciences de Tunis, Universite El-Manar, 2092 Campus universitaire Tunis, Tunisia)
,
Romdhane S.
(Faculte des Sciences de Bizerte, 7021 Zarzouna, Bizerte, Universite de Carthage, Tunisia)
,
Bouchriha H.
(Laboratoire Materiaux Avances et Phenomenes Quantiques, Faculte des Sciences de Tunis, Universite El-Manar, 2092 Campus universitaire Tunis, Tunisia)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 463 ページ： 54-58 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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