文献
J-GLOBAL ID:201702224343153947
整理番号:17A1810394
反応制限NF3プラズマプロセスを用いた深堀トレンチにおけるタングステンの横均一エッチング
Uniform lateral etching of tungsten in deep trenches utilizing reaction-limited NF3 plasma process
著者 (3件):
KOFUJI Naoyuki
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
MORI Masahito
(Hitachi High-Technol. Corp., Yamaguchi, JPN)
,
NISHIDA Toshiaki
(Hitachi High-Technol. Corp., Yamaguchi, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
6S2
ページ:
06HB05.1-06HB05.6
発行年:
2017年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)