文献
J-GLOBAL ID:201702224439216760
整理番号:17A1567883
CMOS互換PMIC用EモードpチャネルGaN MOSHFET【Powered by NICT】
An E-Mode p-Channel GaN MOSHFET for a CMOS Compatible PMIC
著者 (2件):
Kumar Ashwani
(Department of Electronic and Electrical Engineering, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
,
De Souza Maria Merlyne
(Department of Electronic and Electrical Engineering, The University of Sheffield, Sheffield, U.K.)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
38
号:
10
ページ:
1449-1452
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)