文献
J-GLOBAL ID:201702224445410074
整理番号:17A1264093
結晶性シリコン上に熱蒸着した正孔選択MoO3のアドミタンス解析【Powered by NICT】
Admittance analysis of thermally evaporated-hole selective MoO3 on crystalline silicon
著者 (3件):
Ahiboz Doguscan
(Department of Physics, Middle East Technical University, Ankara, Turkey)
,
Nasser Hisham
(The Center For Solar Energy Research & Applications (GUeNAM), Ankara, Turkey)
,
Turan Rasit
(Department of Physics, Middle East Technical University, Ankara, Turkey)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IRSEC
ページ:
144-151
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)