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文献
J-GLOBAL ID：201702224492923575
整理番号：17A1003312
分子線エピタキシー法により成長したBaSi2エピタキシャル膜の偏光Ramanスペクトル
Polarized Raman spectra of BaSi2 epitaxial film grown by molecular beam epitaxy
TERAI Yoshikazu
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
TERAI Yoshikazu
(Kagoshima Univ., Kagoshima, JPN)
,
YAMAGUCHI Haruki
(Kagoshima Univ., Kagoshima, JPN)
,
TSUKAMOTO Hiroaki
(Kagoshima Univ., Kagoshima, JPN)
,
MURAKOSO Naoki
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
IINUMA Motoki
(Kyushu Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
SUEMASU Takashi
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 56 号： 5S1 ページ： 05DD02.1-05DD02.4 発行年： 2017年05月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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