文献
J-GLOBAL ID:201702224623148995
整理番号:17A1640765
逆バイアス過渡現象によるシリコン二重ヘテロ接合太陽電池における前面と背面界面再結合の抽出【Powered by NICT】
Extraction of Front- and Rear-Interface Recombination in Silicon Double-Heterojunction Solar Cells by Reverse Bias Transients
著者 (3件):
Berg Alexander H.
(Department of Electrical Engineering, Princeton Institute for the Science and Technology of Materials, Princeton University, Princeton, NJ, USA)
,
Nagamatsu Ken A.
(Process Integration Group, Advanced Technology Laboratory of Northrop Grumman Corporation, Linthicum, MD, USA)
,
Sturm James C.
(Department of Electrical Engineering, Princeton Institute for the Science and Technology of Materials, Princeton University, Princeton, NJ, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
64
号:
11
ページ:
4518-4525
発行年:
2017年
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)