文献
J-GLOBAL ID:201702224921876509
整理番号:17A1864822
ディジタル応用のための歪Si/歪Si1-yGey/緩和Si1-xGex MOSFETと回路の性能における歪誘起変化【JST・京大機械翻訳】
著者 (3件):
Kumar Subindu
(DEPARTMENT OF ELECTRONICS ENGINEERING, INDIAN SCHOOL OF MINES, DHANBAD 826004, INDIA)
,
Kumari Amrita
(DEPARTMENT OF ELECTRONICS ENGINEERING, INDIAN SCHOOL OF MINES, DHANBAD 826004, INDIA)
,
Das Mukul K
(DEPARTMENT OF ELECTRONICS ENGINEERING, INDIAN SCHOOL OF MINES, DHANBAD 826004, INDIA)
資料名:
Journal of Central South University
(Journal of Central South University)
巻:
24
号:
6
ページ:
1233-1244
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1117A
ISSN:
2095-2899
CODEN:
JCSUBS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)