文献
J-GLOBAL ID:201702225112727512
整理番号:17A1548190
p-GaAs/AlGaAsヘテロ構造を用いた無接合電界効果トランジスタの性能改善【Powered by NICT】
Performance improvement of junctionless field effect transistors using p-GaAs/AlGaAs heterostructure
著者 (4件):
Bajelan F.
(Department of Electrical Engineering, Sciences and Research Branch, Islamic Azad University, Tehran, 1477893855, Iran)
,
Goharrizi A. Yazdanpanah
(Department of Electrical Engineering, Shahid Beheshti University, Iran)
,
Faez R.
(Department of Electrical Engineering, Sharif University of Technology, Iran)
,
Darvish G.
(Department of Electrical Engineering, Sciences and Research Branch, Islamic Azad University, Tehran, 1477893855, Iran)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
110
ページ:
305-312
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)