文献
J-GLOBAL ID:201702225190102700
整理番号:17A0605256
埋め込みTiNソース/ドレイン構造を用いたGe n-チャネル金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタにおける低寄生抵抗の達成
Achievement of low parasitic resistance in Ge n-channel metal-oxide-semiconductor field-effect transistor using an embedded TiN-source/drain structure
著者 (6件):
NAGATOMI Y
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
TATEYAMA T
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
TANAKA S
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
YAMAMOTO K
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
WANG D
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
NAKASHIMA H
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
32
号:
3
ページ:
035001,1-8
発行年:
2017年03月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)