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文献
J-GLOBAL ID：201702225336202950
整理番号：17A0650745
400°Cでex situアニールしたトップCo2Fe6B2自由層を有する二重MgO垂直磁気トンネル接合スピンバルブ用のPtシード層厚へのトンネル磁気抵抗比の依存性
Dependency of tunneling magnetoresistance ratio on Pt seed-layer thickness for double MgO perpendicular magnetic tunneling junction spin-valves with a top Co2Fe6B2 free layer ex-situ annealed at 400 °C
TAKEMURA Yasutaka
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
TAKEMURA Yasutaka
(SUMCO CORPORATION, Hokkaido, JPN)
,
LEE Du-Yeong
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
LEE Seung-Eun
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
,
PARK Jea-Gun
(Hanyang Univ., Seoul, KOR)
資料名：
Nanotechnology
(Nanotechnology)
巻： 27 号： 48 ページ： 485203,1-6 発行年： 2016年12月02日
JST資料番号： W0108A ISSN： 0957-4484 CODEN： NNOTER 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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