文献
J-GLOBAL ID:201702225370929987
整理番号:17A1639019
間接バンドギャップ半導体を用いたTFETにおけるフォノン支援トンネリングの理論的研究【Powered by NICT】
Theoretical investigation of the phonon-assisted tunneling in TFET with an indirect band gap semiconductor
著者 (2件):
Chen J.
(School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, PR China)
,
Gong J.
(School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, PR China)
資料名:
Superlattices and Microstructures
(Superlattices and Microstructures)
巻:
111
ページ:
319-325
発行年:
2017年
JST資料番号:
D0600B
ISSN:
0749-6036
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)