文献
J-GLOBAL ID:201702225409914418
整理番号:17A1399056
導波路増幅器を実現するための半導体ハロゲン化物ペロブスカイト層の最適化【Powered by NICT】
Optimization of semiconductor halide perovskite layers to implement waveguide amplifiers
著者 (8件):
Suarez I.
(UMDO, Instituto de Ciencia de los Materiales, Universidad de Valencia, 46071, Spain)
,
Tuyen Ngo T.
(Photovoltaics and Optoelectronic Devices Group, Departament de Fi ́sica, Universitat Jaume I, 12071 Castello ́, Spain)
,
Juarez-Perez E.J.
(Photovoltaics and Optoelectronic Devices Group, Departament de Fi ́sica, Universitat Jaume I, 12071 Castello ́, Spain)
,
Antonicelli G.
(POLYMAT, University of the Basque Country UPV/EHU, Avenida de Tolosa 72, E-20018 Donostia-San Sebastian, Spain)
,
Cortizo-Lacalle D.
(POLYMAT, University of the Basque Country UPV/EHU, Avenida de Tolosa 72, E-20018 Donostia-San Sebastian, Spain)
,
Mateo-Alonso A.
(Ikerbasque, Basque Foundation for Science, Bilbao, Spain)
,
Mora-Sero I.
(Photovoltaics and Optoelectronic Devices Group, Departament de Fi ́sica, Universitat Jaume I, 12071 Castello ́, Spain)
,
Martinez-Pastor J. P.
(UMDO, Instituto de Ciencia de los Materiales, Universidad de Valencia, 46071, Spain)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
ICTON
ページ:
1-3
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)