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文献
J-GLOBAL ID：201702225425892448
整理番号：17A1907010
電子ビームリソグラフィにおける限界寸法への確率論的露光の影響
Effects of stochastic exposure on critical dimension in electron-beam lithography
Ji Hyesung
(Department of Electrical and Computer Engineering, Auburn University, Auburn, Alabama 36849)
,
Lee Soo-Young
(Department of Electrical and Computer Engineering, Auburn University, Auburn, Alabama 36849)
,
Choi Jin
(Samsung Electronics, Mask Development Team, 16 Banwol-Dong, Hwasung, Kyunggi-Do 445-701, South Korea)
,
Kim Seom-Beom
(Samsung Electronics, Mask Development Team, 16 Banwol-Dong, Hwasung, Kyunggi-Do 445-701, South Korea)
,
Shin In-Kyun
(Samsung Electronics, Mask Development Team, 16 Banwol-Dong, Hwasung, Kyunggi-Do 445-701, South Korea)
,
Jeon Chan-Uk
(Samsung Electronics, Mask Development Team, 16 Banwol-Dong, Hwasung, Kyunggi-Do 445-701, South Korea)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35 号： 6 ページ： 06G503-06G503-10 発行年： 2017年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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