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文献
J-GLOBAL ID：201702225482530909
整理番号：17A0318969
フォトダイオードと太陽電池のためのCdSe量子dots/Si複合構造とその性能の低漏れ電流【Powered by NICT】
Low leakage current of CdSe quantum dots/Si composite structure and its performance for photodiode and solar cell
Soylu M.
(Department of Physics, Faculty of Sciences and Arts, Bingol University, Bingol, Turkey)
,
Al-Ghamdi Ahmed. A.
(Department of Physics, Faculty of Science, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia)
,
El-Tantawy F.
(Department of Physics, Faculty of Science, Suez Canal University, Ismailia, Egypt)
,
Farooq W.A.
(Department of Physics and Astronomy, College of Science, King Saud University, Riyadh, Saudi Arabia)
,
Yakuphanoglu F.
(Department of Physics, Faculty of Science, King Abdulaziz University, Jeddah, Saudi Arabia)
,
Yakuphanoglu F.
(Department of Physics, Faculty of Science, Firat University, Elazig, Turkey)
資料名：
Ceramics International
(Ceramics International)
巻： 42 号： 13 ページ： 14949-14955 発行年： 2016年
JST資料番号： H0705A ISSN： 0272-8842 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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