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文献
J-GLOBAL ID:201702225738096958   整理番号:17A1550654

電子ビーム蒸着によるSi基板上に成長させたFeドープZnO薄膜ナノワイヤの光学的性質と形態に及ぼすシード層(Al, Ti)の影響【Powered by NICT】

Effect of seed layers (Al, Ti) on optical and morphology of Fe-doped ZnO thin film nanowires grown on Si substrate via electron beam evaporation
著者 (8件):
Reddy I. Neelakanta
(School of Mechanical Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan 712-749, South Korea)
Reddy Ch.Venkata
(School of Mechanical Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan 712-749, South Korea)
Sreedhar M.
(Centre for Nanoscience and Nanotechnology, Sathyabama University, Chennai 600-119, India)
Cho Migyung
(School of Information Engineering, Tongmyong University, Busan 608-711, Republic of Korea)
Shim Jaesool
(School of Mechanical Engineering, Yeungnam University, Gyeongsan 712-749, South Korea)
Reddy V. Rajagopal
(Department of Physics, Sri Venkateswara University, Tirupati 517-502, India)
Choi Chel-Jong
(School of Semiconductor and Chemical Engineering, Chonbuk National University, Jeonju 561-756, South Korea)
Kim Dongseob
(Avionics Components & System Technology Center, Yeongcheon-si, Gyeongsangbuk-do 38822, Republic of Korea)

資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)

巻: 71  ページ: 296-303  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1055A  ISSN: 1369-8001  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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