文献
J-GLOBAL ID:201702225769377588
整理番号:17A0352487
静電放電ストレス下のダイオードトリガシリコン制御整流器の構造に依存した挙動【Powered by NICT】
Structure-dependent behaviors of diode-triggered silicon controlled rectifier under electrostatic discharge stress
著者 (3件):
Zhang Lizhong
(Institute of Microelectronics, Peking University)
,
Wang Yuan
(Institute of Microelectronics, Peking University)
,
He Yandong
(Institute of Microelectronics, Peking University)
資料名:
Chinese Physics B
(Chinese Physics B)
巻:
25
号:
12
ページ:
128501-1-128501-7
発行年:
2016年
JST資料番号:
W1539A
ISSN:
1674-1056
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
中国 (CHN)
言語:
英語 (EN)