文献
J-GLOBAL ID:201702225790252252
整理番号:17A1810244
GaAs/InGaAs非対称二重量子井戸シュードモルフィック高電子移動度トランジスタ構造における非線形電子輸送
Nonlinear electron transport in GaAs/InGaAs asymmetric double-quantum-well pseudomorphic high-electron-mobility transistor structure
著者 (6件):
MOHAPATRA Meryleen
(National Inst. of Sci. and Technol., Odisha, IND)
,
SAHU Arttatran
(National Inst. of Sci. and Technol., Odisha, IND)
,
PANDA Sangita R.
(National Inst. of Sci. and Technol., Odisha, IND)
,
DAS Sudhakar
(National Inst. of Sci. and Technol., Odisha, IND)
,
SAHU Trinath
(National Inst. of Sci. and Technol., Odisha, IND)
,
PANDA Ajit K.
(National Inst. of Sci. and Technol., Odisha, IND)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
6
ページ:
064101.1-064101.5
発行年:
2017年06月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)