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文献
J-GLOBAL ID：201702225840887963
整理番号：17A1261747
電力スイッチング応用のための埋込み電流センシング構造を持つAuフリーAlGaN/GaN MIS-HEMT【Powered by NICT】
Au-Free AlGaN/GaN MIS-HEMTs With Embedded Current Sensing Structure for Power Switching Applications
Sun Ruize
(National University of Singapore, Singapore)
,
Liang Yung C.
(National University of Singapore, Singapore)
,
Yeo Yee-Chia
(National University of Singapore, Singapore)
,
Zhao Cezhou
(Xi’an Jiaotong-Liverpool University, Suzhou, China)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64 号： 8 ページ： 3515-3518 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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