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文献
J-GLOBAL ID：201702225845117697
整理番号：17A0328771
無不純物空格子点無秩序化量子井戸相互混合によるInGaAs/GaAs/AlGaAs多重波長量子井戸レーザダイオードのモノリシック作製【Powered by NICT】
Monolithic Fabrication of InGaAs/GaAs/AlGaAs Multiple Wavelength Quantum Well Laser Diodes via Impurity-Free Vacancy Disordering Quantum Well Intermixing
Qiao Zhongliang
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Tang Xiaohong
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Li Xiang
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Bo Baoxue
(National Key Laboratory on High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China)
,
Gao Xin
(National Key Laboratory on High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China)
,
Qu Yi
(National Key Laboratory on High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun, China)
,
Liu Chongyang
(Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, Singapore)
,
Wang Hong
(School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Singapore)
資料名：
IEEE Journal of the Electron Devices Society
(IEEE Journal of the Electron Devices Society)
巻： 5 号： 2 ページ： 122-127 発行年： 2017年
JST資料番号： W2429A ISSN： 2168-6734 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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