文献
J-GLOBAL ID:201702225866247454
整理番号:17A0685899
GaAs上の単層MoSe2のエピタキシャル成長
Epitaxial growth of monolayer MoSe2 on GaAs
著者 (9件):
ONOMITSU Koji
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
KRAJEWSKA Aleksandra
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
KRAJEWSKA Aleksandra
(On leave from Univ. Edinburgh, GBR)
,
NEUFELD Ryan A. E.
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
NEUFELD Ryan A. E.
(On leave from Univ. Waterloo, CAN)
,
MAEDA Fumihiko
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
MAEDA Fumihiko
(Fukuoka Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
,
KUMAKURA Kazuhide
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
YAMAMOTO Hideki
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名:
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻:
9
号:
11
ページ:
115501.1-115501.4
発行年:
2016年11月
JST資料番号:
F0599C
ISSN:
1882-0778
CODEN:
APEPC4
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)