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文献
J-GLOBAL ID:201702225866247454   整理番号:17A0685899

GaAs上の単層MoSe2のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of monolayer MoSe2 on GaAs
著者 (9件):
ONOMITSU Koji
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
KRAJEWSKA Aleksandra
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
KRAJEWSKA Aleksandra
(On leave from Univ. Edinburgh, GBR)
NEUFELD Ryan A. E.
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
NEUFELD Ryan A. E.
(On leave from Univ. Waterloo, CAN)
MAEDA Fumihiko
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
MAEDA Fumihiko
(Fukuoka Inst. of Technol., Fukuoka, JPN)
KUMAKURA Kazuhide
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
YAMAMOTO Hideki
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)

資料名:
Applied Physics Express  (Applied Physics Express)

巻:号: 11  ページ: 115501.1-115501.4  発行年: 2016年11月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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