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文献
J-GLOBAL ID：201702225985216440
整理番号：17A0057887
窒化ゲート酸化膜と自己整合チャネル技術を用いた1200V SiC MOSFETの開発【Powered by NICT】
R&D of 1200V SiC MOSFETs with nitrided gate oxide and self-aligned channel technology
Peng Zhaoyang
(Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, #3 Beitucheng West Road, Chaoyang District, Beijing, China)
,
Shen Huajun
(Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, #3 Beitucheng West Road, Chaoyang District, Beijing, China)
,
Chen Hong
(Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, #3 Beitucheng West Road, Chaoyang District, Beijing, China)
,
Bai Yun
(Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, #3 Beitucheng West Road, Chaoyang District, Beijing, China)
,
Tang Yidan
(Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, #3 Beitucheng West Road, Chaoyang District, Beijing, China)
,
Wang Yiyu
(Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd, Shidai Road, Shifeng District, Zhuzhou, Hunan, China)
,
Chen Ximing
(Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd, Shidai Road, Shifeng District, Zhuzhou, Hunan, China)
,
Li Chengzhan
(Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd, Shidai Road, Shifeng District, Zhuzhou, Hunan, China)
,
Liu Kean
(Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd, Shidai Road, Shifeng District, Zhuzhou, Hunan, China)
,
Liu Xinyu
(Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, #3 Beitucheng West Road, Chaoyang District, Beijing, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： SSLChina: IFWS ページ： 46-49 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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