文献
J-GLOBAL ID:201702226034337000
整理番号:17A0898351
InP基板上のタイプ-IIIバンド配列を有する高歪エサキ・トンネルダイオード
Highly strained Esaki tunnel diodes on InP substrate with type-III band alignment
著者 (3件):
KARL S
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
SPRENGEL S
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
,
AMANN M-C
(Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
31
号:
12
ページ:
125008,1-4
発行年:
2016年12月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)