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文献
J-GLOBAL ID：201702226036257021
整理番号：17A1348128
Ge CVDエピタキシャル成長のための原子的に制御された処理【Powered by NICT】
Atomically controlled processing for Ge CVD epitaxial growth
Murota Junichi
(Micro System Integration Center, Tohoku University, 519-1176 Aramaki aza Aoba, Aoba-ku, Sendai, 980-0845, Japan)
,
Yamamoto Yuji
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Costina Ioan
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Tillack Bernd
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Vinh Le Thanh
(Aix-Marseille Universite, CNRS CINaM-UMR 7325, F-13288 Cedex 09, France)
,
Loo Roger
(imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
,
Caymax Matty
(imec, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, Belgium)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016 号： ICSICT ページ： 317-320 発行年： 2016年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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