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文献
J-GLOBAL ID：201702226142794286
整理番号：17A0132783
バイアス依存型共鳴光ルミネッセンスによるGaN系発光ダイオードの放射効率の決定
Determination of the radiative efficiency of GaN-based light-emitting diodes via bias dependent resonant photoluminescence
Mounir Christian
(Department of Microsystems Engineering (IMTEK), University of Freiburg, Georges-Kohler-Allee 103, 79110 Freiburg, Germany)
,
Schwarz Ulrich T.
(Institute of Physics, Technical University of Chemnitz, Reichenhainer Strasse 70, 09126 Chemnitz, Germany)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 1 ページ： 011106-011106-5 発行年： 2017年01月02日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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