文献
J-GLOBAL ID:201702226176242246
整理番号:17A0549760
紫外オゾンと熱処理による溶液ゲート絶縁膜を用いたトップゲート型α-IGZO薄膜トランジスタの電気特性改善
Electrical properties Improvement of Top Gate α-IGZO Thin-Film Transistor using Solution Gate Insulator by Ultraviolet-Ozone and Thermal Treatment
著者 (5件):
KULCHAISIT Chaiyanan
(Nara Inst. of Sci. and Technol.)
,
BERMUNDO Juan Paolo
(Nara Inst. of Sci. and Technol.)
,
FUJII Mami N.
(Nara Inst. of Sci. and Technol.)
,
ISHIKAWA Yasuaki
(Nara Inst. of Sci. and Technol.)
,
URAOKA Yukiharu
(Nara Inst. of Sci. and Technol.)
資料名:
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
(Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻:
64th
ページ:
ROMBUNNO.16a-502-9
発行年:
2017年03月01日
JST資料番号:
Y0054B
ISSN:
2436-7613
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)