文献
J-GLOBAL ID:201702226338658544
整理番号:17A0468021
真空蒸着されたSnの等温酸化により調製されたSnO2薄膜の物理的性質
Physical properties of SnO2 thin films prepared by isothermal oxidation of vacuum evaporated Sn
著者 (5件):
KABIR A.
(Univ. 20 aout 1955-Skikda, Skikda, DZA)
,
BOULAININE D.
(Univ. 20 aout 1955-Skikda, Skikda, DZA)
,
BOUANANE I.
(Univ. 20 aout 1955-Skikda, Skikda, DZA)
,
SCHMERBER G.
(IPCMS, CNRS, Strasbourg, FRA)
,
BOUDJEMA B.
(Univ. 20 aout 1955-Skikda, Skikda, DZA)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
28
号:
3
ページ:
2481-2486
発行年:
2017年02月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)