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文献
J-GLOBAL ID：201702226369366935
整理番号：17A1351082
回路伝導放出に及ぼすDSOIバックゲートバイアスの影響【Powered by NICT】
Impact of DSOI back-gate biasing on circuit conducted emission
Li B.
(Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Gao J.
(Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Han Z.
(Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Luo J.
(Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, Beijing, China)
,
Wu J.
(College of Electronics and Engineering, National University of Defense Technology, Changsha, China)
,
Zhu W.
(Tianjin Binhai Civil-military Integrated Innovation Institute, China)
資料名：
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017 号： EMCCompo ページ： 193-196 発行年： 2017年
JST資料番号： W2441A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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