文献
J-GLOBAL ID:201702226402649799
整理番号:17A1170545
高速窒化シンチレータ構造のためのGaNバッファ層のルミネセンス特性の改善【Powered by NICT】
Improvement of luminescence properties of GaN buffer layer for fast nitride scintillator structures
著者 (5件):
Hubacek T.
(Institute of Mechatronics and Computer Engineering, TUL, Liberec, Czechia)
,
Hospodkova A.
(Institute of Physics CAS, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00 Prague 6, Czechia)
,
Oswald J.
(Institute of Physics CAS, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00 Prague 6, Czechia)
,
Kuldova K.
(Institute of Physics CAS, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00 Prague 6, Czechia)
,
Pangrac J.
(Institute of Physics CAS, v. v. i., Cukrovarnicka 10, 162 00 Prague 6, Czechia)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
464
ページ:
221-225
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)