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文献
J-GLOBAL ID：201702226425114215
整理番号：17A1261715
Ge MOSゲートスタックにおけるGeO_2不動態化に及ぼす超薄Y_2O_3層の影響【Powered by NICT】
The Impact of an Ultrathin Y2O3 Layer on GeO2 Passivation in Ge MOS Gate Stacks
Seo Yujin
(School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, South Korea)
,
Lee Tae In
(School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, South Korea)
,
Yoon Chang Mo
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea)
,
Park Bo-Eun
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea)
,
Hwang Wan Sik
(Department of Materials Engineering, Korea Aerospace University, Goyang, South Korea)
,
Kim Hyungjun
(Department of Electrical and Electronic Engineering, Yonsei University, Seoul, South Korea)
,
Yu Hyun-Yong
(School of Electrical Engineering, Korea University, Soeul, South Korea)
,
Cho Byung Jin
(School of Electrical Engineering, KAIST, Daejeon, South Korea)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64 号： 8 ページ： 3303-3307 発行年： 2017年
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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