文献
J-GLOBAL ID:201702226532926798
整理番号:17A0953619
GaAs中での電荷キャリアのCoulomb相互作用により誘起したバンドギャップくりこみのピコ秒緩和
Picosecond Relaxation of Band-Gap Renormalization Induced by the Coulomb Interaction of Charge Carriers in GaAs
著者 (4件):
AGEEVA N. N.
(Kotel’nikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Moscow, RUS)
,
BRONEVOI I. L.
(Kotel’nikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Moscow, RUS)
,
ZABEGAEV D. N.
(Kotel’nikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Moscow, RUS)
,
KRIVONOSOV A. N.
(Kotel’nikov Inst. of Radio Engineering and Electronics, Russian Acad. of Sci., Moscow, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
51
号:
5
ページ:
565-570
発行年:
2017年05月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)