文献
J-GLOBAL ID:201702226545673117
整理番号:17A0478363
β線により励起された電源のパラメータの最適化
Optimization of the Parameters of Power Sources Excited by β-Radiation
著者 (5件):
BULYARSKIY S. V.
(Inst. of Nanotechnology of Microelectronics, Russian Acad. of Sci., Moscow, RUS)
,
LAKALIN A. V.
(Inst. of Nanotechnology of Microelectronics, Russian Acad. of Sci., Moscow, RUS)
,
ABANIN I. E.
(Technological Center, Moscow, RUS)
,
AMELICHEV V. V.
(Technological Center, Moscow, RUS)
,
SVETUHIN V. V.
(Ulyanovsk State Univ., Ulyanovsk, RUS)
資料名:
Semiconductors
(Semiconductors)
巻:
51
号:
1
ページ:
66-72
発行年:
2017年01月
JST資料番号:
T0093A
ISSN:
1063-7826
CODEN:
SMICES
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)