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文献
J-GLOBAL ID：201702226574186054
整理番号：17A1020032
シリコン中の空格子点と空格子点-酸素クラスタ化のためのab initio計算とレート方程式シミュレーション【Powered by NICT】
Ab initio calculations and rate equation simulations for vacancy and vacancy-oxygen clustering in silicon
Kissinger G.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Dabrowski J.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Sinno T.
(University of Pennsylvania, Department of Chemical and Biomolecular Engineering, 220 S 33rd St., Philadelphia, PA 19104, USA)
,
Yang Y.
(University of Pennsylvania, Department of Chemical and Biomolecular Engineering, 220 S 33rd St., Philadelphia, PA 19104, USA)
,
Kot D.
(IHP, Im Technologiepark 25, 15236 Frankfurt (Oder), Germany)
,
Sattler A.
(Siltronic AG, Hanns-Seidel-Platz 4, 81737 Muenchen, Germany)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 468 ページ： 424-432 発行年： 2017年
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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