文献
J-GLOBAL ID:201702226659099729
整理番号:17A1020113
GaNの流速変調エピタクシーにおける表面過飽和【Powered by NICT】
Surface supersaturation in flow-rate modulation epitaxy of GaN
著者 (4件):
Akasaka Tetsuya
(NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Lin Chia-Hung
(NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Yamamoto Hideki
(NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
,
Kumakura Kazuhide
(NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation, 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi, Kanagawa 243-0198, Japan)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
468
ページ:
821-826
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)