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文献
J-GLOBAL ID:201702226712616326   整理番号:17A1029170

2段階Bayes推定を用いた絶縁ゲートバイポーラトランジスタモジュールの寿命推定【Powered by NICT】

Lifetime Estimation of Insulated Gate Bipolar Transistor Modules Using Two-Step Bayesian Estimation
著者 (2件):
Lu Yizhou
(Department of Mechanical Engineering, University of Maryland, College Park, MD, USA)
Christou Aris
(Department of Material Science and Engineering and the Department of Mechanical Engineering, University of Maryland, College Park, MD, USA)

資料名:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability  (IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)

巻: 17  号:ページ: 414-421  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1320A  ISSN: 1530-4388  CODEN: ITDMA2  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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