文献
J-GLOBAL ID:201702226712616326
整理番号:17A1029170
2段階Bayes推定を用いた絶縁ゲートバイポーラトランジスタモジュールの寿命推定【Powered by NICT】
Lifetime Estimation of Insulated Gate Bipolar Transistor Modules Using Two-Step Bayesian Estimation
著者 (2件):
Lu Yizhou
(Department of Mechanical Engineering, University of Maryland, College Park, MD, USA)
,
Christou Aris
(Department of Material Science and Engineering and the Department of Mechanical Engineering, University of Maryland, College Park, MD, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
(IEEE Transactions on Device and Materials Reliability)
巻:
17
号:
2
ページ:
414-421
発行年:
2017年
JST資料番号:
W1320A
ISSN:
1530-4388
CODEN:
ITDMA2
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)