文献
J-GLOBAL ID:201702226772742569
整理番号:17A0795060
ドリフト-拡散アプローチを用いたデカナノメータnMOSFETのホットキャリア劣化モデリング【Powered by NICT】
Hot-Carrier Degradation Modeling of Decananometer nMOSFETs Using the Drift-Diffusion Approach
著者 (8件):
Sharma Prateek
(Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien, Vienna, Austria)
,
Tyaginov Stanislav
(Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien, Vienna, Austria)
,
Rauch Stewart E.
(GlobalFoundries, Poughkeepsie, NY, USA)
,
Franco Jacopo
(International Medical Equipment Collaborative, Leuven, Belgium)
,
Makarov Alexander
(Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien, Vienna, Austria)
,
Vexler Mikhail I.
(Russian Academy of Sciences, Ioffe Physical-Technical Institute, St. Petersburg, Russia)
,
Kaczer Ben
(International Medical Equipment Collaborative, Leuven, Belgium)
,
Grasser Tibor
(Institute for Microelectronics, Technische Universitaet Wien, Vienna, Austria)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
38
号:
2
ページ:
160-163
発行年:
2017年
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)