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文献
J-GLOBAL ID：201702226827542957
整理番号：17A0462197
自立GaN上へのrfプラズマ分子線エピタキシ法により成長させたAlN/GaN/AlN共鳴トンネルダイオード
AlN/GaN/AlN resonant tunneling diodes grown by rf-plasma assisted molecular beam epitaxy on freestanding GaN
Storm David F.
(Electronics Science and Technology Division, Code 6852, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington, DC 20375)
,
Growden Tyler A.
(Department of Electrical and Computer Engineering, Ohio State University, Columbus, Ohio 43210)
,
Zhang Weidong
(Department of Physics and Electrical Engineering, Wright State University, Dayton, Ohio 45435)
,
Brown Elliott R.
(Department of Physics and Electrical Engineering, Wright State University, Dayton, Ohio 45435)
,
Nepal Neeraj
(Electronics Science and Technology Division, Code 6852, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington, DC 20375)
,
Katzer D. Scott
(Electronics Science and Technology Division, Code 6852, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington, DC 20375)
,
Hardy Matthew T.
(Electronics Science and Technology Division, Code 6852, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington, DC 20375)
,
Berger Paul R.
(Department of Electrical and Computer Engineering, Ohio State University, Columbus, Ohio 43210)
,
Meyer David J.
(Electronics Science and Technology Division, Code 6852, U.S. Naval Research Laboratory, 4555 Overlook Avenue SW, Washington, DC 20375)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 35 号： 2 ページ： 02B110-02B110-4 発行年： 2017年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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