文献
J-GLOBAL ID:201702226863799612
整理番号:17A0214272
Si,SiC及びGaN電力デバイス:鍵となる性能指標に及ぼす不偏見解【Powered by NICT】
Si, SiC and GaN power devices: An unbiased view on key performance indicators
著者 (4件):
Deboy G.
(Infineon Technologies Austria AG, Power management & Multi market Division, Austria)
,
Treu M.
(Infineon Technologies Austria AG, Power management & Multi market Division, Austria)
,
Haeberlen O.
(Infineon Technologies Austria AG, Power management & Multi market Division, Austria)
,
Neumayr D.
(Power Electronic Systems Laboratory, ETH Zurich, Switzerland)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2016
号:
IEDM
ページ:
20.2.1-20.2.4
発行年:
2016年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)