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文献
J-GLOBAL ID：201702226917353204
整理番号：17A1380567
レクテナシミュレーションのためのSchottkyダイオードのモンテカルロモデリング【Powered by NICT】
Monte Carlo modelling of Schottky diode for rectenna simulation
Bernuchon E.
(Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, C2N - Orsay, 91405 Orsay Cedex, France)
,
Aniel F.
(Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, C2N - Orsay, 91405 Orsay Cedex, France)
,
Zerounian N.
(Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, C2N - Orsay, 91405 Orsay Cedex, France)
,
Grimault-Jacquin A.S.
(Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, CNRS, Univ. Paris-Sud, Universite Paris-Saclay, C2N - Orsay, 91405 Orsay Cedex, France)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 135 ページ： 71-77 発行年： 2017年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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