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文献
J-GLOBAL ID:201702227051678092   整理番号:17A1254708

垂直Siナノワイヤの規則的配列を用いたモデル3次元MOSキャパシタシステム【Powered by NICT】

Model 3D MOS capacitor system using regular arrays of vertical Si nanowires
著者 (4件):
Hourdakis E.
(NCSR Demokritos, INN, Aghia Paraskevi, 153 10 Athens, Greece)
Nassiopoulou A.G.
(NCSR Demokritos, INN, Aghia Paraskevi, 153 10 Athens, Greece)
Casanova A.
(LAAS-CNRS, Universite ́ de Toulouse, CNRS, France)
Larrieu G.
(LAAS-CNRS, Universite ́ de Toulouse, CNRS, France)

資料名:
IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)

巻: 2017  号: EUROSOI-ULIS  ページ: 124-127  発行年: 2017年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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