文献
J-GLOBAL ID:201702227051678092
整理番号:17A1254708
垂直Siナノワイヤの規則的配列を用いたモデル3次元MOSキャパシタシステム【Powered by NICT】
Model 3D MOS capacitor system using regular arrays of vertical Si nanowires
著者 (4件):
Hourdakis E.
(NCSR Demokritos, INN, Aghia Paraskevi, 153 10 Athens, Greece)
,
Nassiopoulou A.G.
(NCSR Demokritos, INN, Aghia Paraskevi, 153 10 Athens, Greece)
,
Casanova A.
(LAAS-CNRS, Universite ́ de Toulouse, CNRS, France)
,
Larrieu G.
(LAAS-CNRS, Universite ́ de Toulouse, CNRS, France)
資料名:
IEEE Conference Proceedings
(IEEE Conference Proceedings)
巻:
2017
号:
EUROSOI-ULIS
ページ:
124-127
発行年:
2017年
JST資料番号:
W2441A
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)