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文献
J-GLOBAL ID：201702227120368394
整理番号：17A0590981
発光ダイオード応用のためのNiO/GaNのエピタキシャル成長とバンド配列特性
Epitaxial growth and band alignment properties of NiO/GaN heterojunction for light emitting diode applications
Baraik Kiran
(Synchrotrons Utilization Section, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013, India)
,
Singh S. D.
(Synchrotrons Utilization Section, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013, India)
,
Kumar Yogesh
(Atomic and Molecular Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India)
,
Ajimsha R. S.
(Laser Materials Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013, India)
,
Misra P.
(Laser Materials Processing Division, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013, India)
,
Jha S. N.
(Atomic and Molecular Physics Division, Bhabha Atomic Research Centre, Mumbai 400085, India)
,
Ganguli Tapas
(Synchrotrons Utilization Section, Raja Ramanna Centre for Advanced Technology, Indore 452013, India)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 110 号： 19 ページ： 191603-191603-5 発行年： 2017年05月08日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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