文献
J-GLOBAL ID:201702227125232486
整理番号:17A0052758
InAs/Ga1-yAlyAs対称2重障壁ヘテロ構造におけるスピン依存共鳴トンネリングに対するAl濃度の影響
Effect of ‘Al’ concentration on spin-dependent resonant tunnelling in InAs/Ga1-y Al y As symmetrical double-barrier heterostructures
著者 (4件):
CHANDRASEKAR L BRUNO
(Department of Physics, The American College, Madurai, India)
,
GNANASEKAR K
(Department of Physics, The American College, Madurai, India)
,
KARUNAKARAN M
(Department of Physics, Alagappa Arts College, Karaikudi, India)
,
CHANDRAMOHAN R
(Department of Physics, Sree Sevugan-Annamalai College, Devakottai, India)
資料名:
Bulletin of Materials Science
(Bulletin of Materials Science)
巻:
39
号:
6
ページ:
1435-1440
発行年:
2016年10月
JST資料番号:
T0142A
ISSN:
0250-4707
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
ドイツ (DEU)
言語:
英語 (EN)