文献
J-GLOBAL ID:201702227173682392
整理番号:17A0953372
種々のMg濃度での有機金属気相エピタキシーで成長させられたp-型ホモエピタキシャルGaN層のホール効果測定
Hall-effect measurements of metalorganic vapor-phase epitaxy-grown p-type homoepitaxial GaN layers with various Mg concentrations
著者 (9件):
HORITA Masahiro
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
,
TAKASHIMA Shinya
(Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
TANAKA Ryo
(Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
MATSUYAMA Hideaki
(Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
UENO Katsunori
(Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
EDO Masaharu
(Fuji Electric Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
TAKAHASHI Tokio
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SHIMIZU Mitsuaki
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SUDA Jun
(Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
56
号:
3
ページ:
031001.1-031001.4
発行年:
2017年03月
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)