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文献
J-GLOBAL ID：201702227180728310
整理番号：17A0478371
サファイアの赤外線吸収を利用した,マイクロメートルの厚さの少量ドープn-GaNの基板からのレーザリフトオフ
On the Laser Lift-Off of Lightly Doped Micrometer-Thick n-GaN Films from Substrates Via the Absorption of IR Radiation in Sapphire
VORONENKOV V. V.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
VIRKO M. V.
(Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS)
,
KOGOTKOV V. S.
(Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS)
,
LEONIDOV A. A.
(Peter the Great St. Petersburg Polytechnic Univ., St. Petersburg, RUS)
,
PINCHUK A. V.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
ZUBRILOV A. S.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
GORBUNOV R. I.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
LATISHEV F. E.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
BOCHKAREVA N. I.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
LELIKOV Y. S.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
TARKHIN D. V.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SMIRNOV A. N.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
DAVYDOV V. Y.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
,
SHEREMET I. A.
(Financial Univ. under the Government of the Russian Federation, Moscow, RUS)
,
SHRETER Y. G.
(Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 51 号： 1 ページ： 115-121 発行年： 2017年01月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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